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等離子體增強(qiáng)MOCVD也就是大名鼎鼎的MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積),針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有加熱的氣體管路、5個(gè)鼓泡裝置(各帶獨(dú)立的冷卻槽)、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、PC全自動(dòng)控制、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5x10-7Torr極限真空)，*的安全互鎖。等離子體增強(qiáng)MOCVD技術(shù)特點(diǎn)：臺(tái)式系統(tǒng)5個(gè)帶獨(dú)立冷卻槽的...

光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的清洗：設(shè)備使用一個(gè)星期后（三班），因鍍料除鍍在工件表面外，亦因無定向性而工作室內(nèi)的襯板上鍍料，并越鍍越厚，該層膜厚因組織、繞疏松，吸收大量氣體而造成真空鍍膜設(shè)備抽氣越來越慢。此時(shí)，應(yīng)對工作室及襯板進(jìn)行清洗，如不必要拆落來的部件，可用砂紙打磨干凈，襯板可浸泡在水溶液里，水的比例看需要浸泡時(shí)間長短以及不傷襯板為原則。注：襯板必須烘干水份才能安裝，烘干前，襯板的水分盡量抹干，工作架等部件用砂紙清潔后，需要把真空室的所有灰塵清理干凈，此可用吸塵器吸干凈灰塵。最后安裝襯板...

等離子去膠機(jī)和清洗系統(tǒng)是專門設(shè)計(jì)用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用PC控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有*的能力:可以從PE等離子刻蝕切換到RIE刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用。等離子去膠機(jī)的工作原理：等離子去膠法，去膠氣體為氧氣。其工作原理是將硅片置于真空反應(yīng)系統(tǒng)中，通入少量氧氣，加1500V高壓，由高頻信號發(fā)生器產(chǎn)生高頻信號，使石英管內(nèi)形成強(qiáng)的電磁場，使氧氣電離，...

光學(xué)鍍膜設(shè)備是現(xiàn)代光學(xué)和光電系統(tǒng)重要的組成部分，在光通信、光學(xué)顯示、激光加工、激光核聚變等高科技及產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域已經(jīng)成為核心元器件，其技術(shù)突破常常成為現(xiàn)代光學(xué)及光電系統(tǒng)加速發(fā)展的主因。光學(xué)薄膜的技術(shù)性能和可靠性，直接影響到應(yīng)用系統(tǒng)的性能、可靠性及成本。隨著行業(yè)的不斷發(fā)展，精密光學(xué)系統(tǒng)對光學(xué)鍍膜設(shè)備的光譜控制能力和精度要求越來越高，而消費(fèi)電子對光學(xué)薄膜器件的需求更強(qiáng)調(diào)超大的量產(chǎn)規(guī)模和普通大眾的易用和舒適性。光學(xué)鍍膜設(shè)備在過去幾十年實(shí)現(xiàn)了長足的進(jìn)展，從舟蒸發(fā)、電子束熱蒸發(fā)及其離子束輔助...

上周NMC專業(yè)的售后服務(wù)工程師至渭南師范學(xué)院完成了原子層沉積系統(tǒng)NLD-3000的安裝調(diào)試，并順利驗(yàn)收！NLD-3000是一款PC全自動(dòng)工藝控制的臺(tái)式ALD系統(tǒng)，包含完整的安全聯(lián)鎖功能，能夠沉積氧化物、氮化物、硫化物、氟化物、金屬等高品質(zhì)的薄膜，達(dá)到光學(xué)級別的表面粗糙度。陽極氧化鋁腔體采用內(nèi)外雙層上下結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，加熱腔壁和氣動(dòng)升降頂蓋，一鍵實(shí)現(xiàn)頂蓋開啟/閉合。系統(tǒng)集成快速脈沖傳輸閥和多孔大面積加熱的ALD過濾器，可吸收多余前驅(qū)體。工藝程序、溫度設(shè)定值、氣體流量、抽真空卸真空工序...

原子層沉積前驅(qū)體往往都是金屬有機(jī)化合物，合適的前驅(qū)體種類較少而且價(jià)格昂貴；傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)因需要長時(shí)間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)；隨著原子層沉積技術(shù)與其他先進(jìn)技術(shù)不斷融合以及人們對原子層沉積設(shè)備的不斷改進(jìn)，諸如“等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)”、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題。一套成熟的空間式原子層沉積設(shè)備需保證每小時(shí)超...

原子層沉積技術(shù)經(jīng)過四十多年的發(fā)展，無論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴(kuò)展與改進(jìn)上，都已經(jīng)取得了長足進(jìn)步，在眾多領(lǐng)域更是展現(xiàn)出令人期待的商業(yè)前景。但傳統(tǒng)的熱原子層沉積技術(shù)在發(fā)展過程中仍面臨著一些挑戰(zhàn)。比如：原子層沉積前驅(qū)體往往都是金屬有機(jī)化合物，合適的前驅(qū)體種類較少而且價(jià)格昂貴；傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)因需要長時(shí)間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)；此外，熱原子層沉積技術(shù)難以用來沉積金屬Ti，Ta等特殊材料。隨著原子層沉積技術(shù)與其他先...

ICP刻蝕機(jī)作為核心刻蝕工藝設(shè)備，其工藝表現(xiàn)將直接影響鰭式晶體管器件的工藝性能和良率，憑借其優(yōu)良的刻蝕形貌控制、均勻性控制、較低刻蝕損傷、較高刻蝕選擇比等方面的技術(shù)優(yōu)勢，隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，濕法刻蝕由于其固有的局限性，已不能滿足超大規(guī)模集成電路微米、甚至納米級細(xì)線條的工藝加工要求，干法刻蝕逐漸發(fā)展起來。在干法刻蝕中，感應(yīng)耦合等離子體(InductivelyCoupledPlasma簡稱ICP)刻蝕法由于其產(chǎn)生的離子密度高、蝕刻均勻性好、蝕刻側(cè)壁垂直度高以及光潔度好，逐漸...