在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。
RIE-PE刻蝕機是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開發(fā)的精細加工技術(shù)，它具有各向異性特點，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。介紹的RIE-PE刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。
RIE-PE刻蝕機為了適應工藝發(fā)展需求，各家設備廠商都推出了一系列的關鍵技術(shù)來滿足工藝需求。主要有以下幾類；
2、等離子體技術(shù)：等離子體密度和能量單獨控制。
3、等離子體約束：減少Particle，提高結(jié)果重復性。
4、工藝組件：適應不同工藝需求，對應不同的工藝組件，比如不同的工藝使用不同。
1、雙區(qū)進氣的目的是通過調(diào)節(jié)內(nèi)外區(qū)敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性，結(jié)果比較明顯。
6、反應室結(jié)構(gòu)設計；由200mm時的側(cè)抽，改為下抽或者側(cè)下抽。有利于提高氣流均一性。
5、 Narrow Gap：窄的Gap設計可以使得電子穿過殼層，中和晶圓上多余的離子，有利于提高刻蝕剖面陡直度。
RIE-PE刻蝕機特點：
1、高選擇性各向異性腐蝕，符合苛刻的制程要求。
2、全自動"一鍵"操作*代替手動操作。
3、易于使用的電腦觸摸屏的參數(shù)控制和配方輸入和存儲。
4、晶圓尺寸達8"英寸直徑，圓滑、緊湊的設計使用zui少的潔凈室空間。
5、RIE-PE刻蝕機設計用于蝕刻氮化物、氧化物和任意需要氟基化學的薄膜或基片。其安裝在節(jié)省空間的平臺上的模塊化設計，使其成為*許多用戶的系統(tǒng)。
6、選項：ICP(電感耦合等離子)、渦淪泵、帶背側(cè)氦冷卻系統(tǒng)和端點檢測系統(tǒng)的靜電吸盤等。
7、產(chǎn)品已全面開發(fā)出各種工藝，RIE-PE刻蝕機用于對使用氟基化學的材料進行各向同性和各向異性蝕刻，其中包括：碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢。
產(chǎn)品分類
更新時間：2017-10-19 
瀏覽次數(shù)：3705
掃碼
您的位置：
在線咨詢
返回頂部