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兆聲清洗機是一款帶有小占地面積的理想設備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。提供了可控的化學試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng)，可以zui大程度節(jié)省化學試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學試劑混合能力，提供了可控的化學試劑在整個基片上的分布。兆聲清洗機具有以下特點：1、械手或多機械手組合，實現(xiàn)工位工藝要求。2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。3、...

硅片清洗機是利用超聲波清洗技術，在清洗過程中超聲波頻率在合理的范圍內(nèi)往復掃動，帶動清洗液形成細微回流，使工件污垢在被超聲剝離的同時迅速帶離工件表面，提高清洗效率。一、硅片清洗機的工作原理是什么1、真空脫氣，有效去除液體中氣體，且運用拋動功能，增強超聲對工件表面油污和污垢的清洗能力，縮短清洗時間。2、洗籃轉(zhuǎn)動機構(gòu)，重疊不可分拆的零件或形狀復雜的零件，也可做到均勻完整的清洗。3、減壓真空系統(tǒng)，能吸出盲孔、縫隙及疊加零件之間的空氣，使超聲波在減壓的狀態(tài)下產(chǎn)生驚人的清洗效果。4、真空...

微波等離子去膠機適用于小批量生產(chǎn)和研發(fā)的設備。并且，此系統(tǒng)可以滿足360度的芯片封裝需要。AL18系統(tǒng)是一款創(chuàng)新型的通用設備，可選配旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤，及ECR(電子回旋共振)裝置。微波等離子去膠機的工作原理：氧等離子去膠是利用氧氣在微波發(fā)生器的作用下產(chǎn)生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機聚合物發(fā)生氧化反應，是的有機聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達到去除光刻膠的目的，這個過程我們有時候也稱之為灰化或者掃膠。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡單、適應性更好，去膠過程純...

主要功能：主要用于半導體應用，及各種需要進行微納工藝濺射鍍膜的情形?？梢杂糜诮饘俨牧希ń?、銀、銅、鎳、鉻等）的直流濺射、直流共濺射，絕緣材料（如陶瓷等）的射頻濺射，以及反應濺射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及對溫度敏感的有機柔性基片等。工作原理：通過分子泵和機械泵組成的兩級真空泵對不銹鋼腔體抽真空，當廣域真空計顯示的讀數(shù)達到10-6Torr量級或更高的真空時，主系統(tǒng)的控制軟件通過控制質(zhì)量流量計精確控制Ar氣體(如需要濺射氧化物薄膜，可增加O2)，此時可以設定工藝所...

微波等離子去膠清洗機是石英腔的微波等離子系統(tǒng)，可以安裝到超凈間墻上。該系列的微波等離子系統(tǒng)可以用于批處理，也可以作為單片處理，系統(tǒng)為計算機全自動控制的系統(tǒng)。典型工藝包含：大劑量離子注入后的光刻膠去除；干法刻蝕工藝的前處理或后處理；MEMS制造中的犧牲層去除。下面為大家介紹微波等離子去膠清洗機使用中的四大影響因素，希望對大家有所幫助。一、調(diào)整合適的頻率：頻率越高，氧越容易電離形成等離子體。如果頻率過高，使電子振幅短于其平均自由程，電子與氣體分子碰撞的概率就會降低，導致電離率降低...

離子銑刻蝕系統(tǒng)是利用離子束轟擊固體表面的濺射作用，剝離加工各種幾何圖形，通過大面積離子源產(chǎn)生的離子束，可對固體材料濺射刻蝕，對固體器件進行微細加工。離子銑刻蝕系統(tǒng)的原理：氬氣在輝光放電原理的作用下被分解為氬離子，氬離子通過陽極電場的加速物理轟擊樣品表面來使得刻蝕的作用達到。往離子源放電室充入氬氣并且使其電離使得等離子體形成，然后通過柵極引出離子呈束狀并且加速，往工作室進入一定能量的離子束，往固體表面射向?qū)腆w表面原子進行轟擊，使材料原子發(fā)生濺射，使刻蝕目的達到，屬于純物理刻蝕...

兆聲清洗機不僅保存了超聲波清洗的優(yōu)點，而且克服了它的不足。在清洗時，由換能器發(fā)出波長為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運動，最大瞬時速度可達到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細小微粒被強制除去并進入到清洗液中。兆聲清洗機的操作規(guī)程：1、遵守鑄造設備通用操作規(guī)程。2、工作前還必須遵守：a、檢查管路系統(tǒng)有無漏氣漏水的情況，如有這種情況，應通知維修人員修理。b、檢查清洗...

ICP刻蝕機是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果?？蓪崿F(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物(如GaAs，InP，GaN，InSb)、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。ICP刻蝕機的工作原理：感應耦合等離子體刻蝕法(InductivelyCoupledPlasmaEtch，簡稱ICPE)是化學過程和物理過程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是...