等離子去膠機(jī)具有體積小，性能優(yōu)良、用途多、工藝速率高、均勻性及重復(fù)性好、價(jià)格低、使用方便等特點(diǎn)。是各電子器件企業(yè)及科研單位、大專院校的機(jī)型。適合于微電子制作工藝中光刻膠的去膠工藝，同時(shí)有RIE刻蝕功能，可以刻蝕Si、SiO2、SiN。已出口國(guó)外。
等離子去膠機(jī)主要性能：
1.開放式設(shè)計(jì)，可快速加載和卸載晶圓。
2.基片放置在石英上，以避免濺射/再沉積電極材料
3.通過頂部電極上的“蓮蓬頭”進(jìn)氣口將氣體注入工藝室
4.電感耦合等離子體(ICP)和電極的獨(dú)立射頻發(fā)生器提供對(duì)離子能量和離子密度的獨(dú)立控制
5.高電導(dǎo)泵浦端口提供高的氣體吞吐量，以最快的腐蝕速率
6.使用等離子體源，生成單原子反應(yīng)種。氧是最常見的反應(yīng)物質(zhì)。
影響等離子去膠機(jī)處理效果的四大因素：
1.頻率的調(diào)整：頻率越高，氧越易電離構(gòu)成等離子體。頻率太高，以致電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子磕碰概率反而減少，使電離率降低。
2.功率的調(diào)整：關(guān)于必定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當(dāng)功率增大到必定值，反響所能耗費(fèi)的活性離子到達(dá)飽滿，功率再大，去膠速度則無顯著添加。由于功率大，基片溫度高，所以應(yīng)根據(jù)技術(shù)需求調(diào)理功率。
3.真空度的調(diào)整：恰當(dāng)?shù)恼婵斩龋墒闺娮舆\(yùn)動(dòng)的平均自由程變大，因而從電場(chǎng)取得的能量就大，有利電離。別的當(dāng)氧氣流量必守時(shí)，真空度越高，則氧的相對(duì)份額就大，發(fā)生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會(huì)減小。
4.氧氣流量的調(diào)整：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加速；但流量太大，則離子的復(fù)合概率增大，電子運(yùn)動(dòng)的平均自由程縮短，電離強(qiáng)度反而降低。若反響室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也添加，其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加，因而流量添加對(duì)去膠速率的影響也就不甚顯著。
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更新時(shí)間：2023-02-26 
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